Al合金在碱性条件下CMP研究

• 作者: 刘佳 刘玉岭 孙鸣 杨昊鹍 田园 陈蕊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Al合金 抛光液 化学机械抛光 粗糙度 活性剂
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 929-933
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.12.009

摘要

Al化学机械抛光是实现28 nm高k金属栅器件集成电路的关键制程,采用田口方法设计正交实验,主要研究了碱性抛光液对Al合金抛光特性的作用.围绕抛光液组分进行实验.结果表明,有机胺碱体积分数为1.5％,螯合剂体积分数为0.5％,硅溶胶磨料体积分数为15％,活性剂体积分数为0.3％,氧化剂H2O2体积分数为1％时表面粗糙度最低,同时抛光液组分中活性剂体积分数在化学机械抛光过程中对Al合金表面粗糙度影响最为显著.通过优化抛光液组分配比,化学机械抛光后Al合金表面粗糙度可降到1.81 nm(10 μm×10 μm).在最佳配比,即pH值为10.51时的抛光液与传统三酸抛光液进行对比实验,Al表面粗糙度明显低于传统三酸抛光液,抛光后Al表面无划伤、无蚀坑,达到了较好的抛光效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	孙鸣	河北工业大学微电子研究所	18	95	6.0	9.0
3	刘佳	河北工业大学微电子研究所	40	72	4.0	5.0
4	陈蕊	河北工业大学微电子研究所	7	26	4.0	5.0
5	杨昊鹍	河北工业大学微电子研究所	5	20	3.0	4.0
6	田园	河北工业大学微电子研究所	9	36	4.0	5.0