制备工艺参数对Cu表面Cu/Si梯度层断面显微组织的影响

• 作者: 方秀君 李运刚 田薇
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: Cu/Si梯度材料 工艺参数 显微组织 电沉积硅
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 表面工程
• 页码范围: 65-68,98
• 页数: 5页
• 分类号: TG178.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2013.02.013

摘要

以Cu为基体,利用KCl-NaCl-NaF-SiO2熔盐体系电沉积出的硅作为渗硅硅源,电沉积硅和在Cu基体上渗硅同时进行,制备了Cu/Si梯度层.本工作就制备工艺参数对梯度层断面显微组织的影响进行了研究,结果表明:Cu/Si的梯度层断面由不同显微组织的表面层、中间层和过渡层构成,表面层是等轴晶组织,中间层是柱状晶组织；梯度层厚度随电沉积渗硅温度的升高、电沉积时间的延长而增厚,并且表面层晶粒、中间层晶粒均得到细化；电沉积时间延长,表面层厚度逐渐增大,中间层厚度逐渐减小；梯度层中,表面层金相相组织由(Cu)相、K相、γ相、η相和ε相中的一相或两相构成；中间层完全是(Cu)相.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李运刚	河北联合大学河北省现代冶金技术重点实验室	55	232	8.0	13.0
2	田薇	河北联合大学河北省现代冶金技术重点实验室	11	26	2.0	5.0
3	方秀君	河北联合大学河北省现代冶金技术重点实验室	1	1	1.0	1.0