ZnO膜膜厚对ZnO/p-Si异质结光电转换性能的影响

• 作者: 卢沛洪 杨元政 谢致薇 邓子谦
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌中掺杂氧化铝(AZO) 硅(Si) 太阳电池 光电转换 膜厚
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 425-429
• 分类号: TN304.21
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.07.004

摘要

采用射频磁控溅射法在p型Si衬底上制备了不同膜厚的氧化锌中掺杂氧化铝(AZO)薄膜.测试了电阻率、结构性质、光透过率、单色光光子-电子转换效率(IPCE)和电池性能谱,研究了膜厚对电池光电转换性能的影响.结果表明,在适当的膜厚内,随着膜厚的增大,异质结对波长300～400 nm的光的光电转换效率逐渐增大,对400 nm以上波长段光的光电转换效率逐渐减小；而膜厚过薄或过厚会导致光电转换率降低；溅射时间为30 min的样品膜厚最适中,为153.0 nm,样品的电池开路电压为0.399 V,短路电流为361.5 μA,最大功率为40.8 μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢致薇	广东工业大学材料与能源学院	85	436	12.0	15.0
2	杨元政	广东工业大学材料与能源学院	123	648	13.0	20.0
3	卢沛洪	广东工业大学材料与能源学院	1	1	1.0	1.0
4	邓子谦	广东工业大学材料与能源学院	2	1	1.0	1.0