用于200 V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS

• 作者: 乔明 何逸涛 周淼 洪根深 肖志强 苏郁秋 陈正才 高向东
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 薄层SOI 多阶场板 场注技术 高压电平位移电路
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2486字
• 语种: 中文

摘要

文章基于1.5μm厚顶层硅SOI材料，设计了用于200 V电平位移电路的高压LDMOS，包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压，厚栅氧pLDMOS采用场注技术形成源端补充注入，避免了器件发生背栅穿通。文中分析了漂移区长度、注入剂量和场板对器件耐压的影响。实验表明，薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS耐压分别达到344 V和340 V。采用文中设计的高压器件，成功研制出200 V高压电平位移电路。