射频磁控溅射法制备硼薄膜

• 作者: 刘玉杰 叶迎华 李创新 杨程 沈瑞琪 胡艳
• 来源期刊: 火工品
• 关键词: 硼薄膜 射频磁控溅射 制备 形貌表征 成分分析
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 5-9
• 分类号: TJ450.4
• 语种: 中文

摘要

采用射频(RF)磁控溅射技术在单晶硅(Si)基底上制备了硼(B)薄膜,研究了工作气压和溅射功率对薄膜沉积速率及薄膜质量的影响,并对薄膜的微观形貌和组成成分进行了表征.结果表明:当气压为0.3Pa 时,B薄膜的沉积速率最大;沉积速率随溅射功率的增大而增大;在0.3Pa、150W条件下制备的B薄膜比较平整、均匀、致密;B薄膜的主要构成为晶态的B,存在少量的B2O3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶迎华	南京理工大学化工学院	123	751	15.0	19.0
2	沈瑞琪	南京理工大学化工学院	171	1017	16.0	20.0
3	胡艳	南京理工大学化工学院	56	350	11.0	15.0
4	杨程	南京理工大学化工学院	3	12	2.0	3.0
5	李创新	南京理工大学化工学院	5	24	3.0	4.0
6	刘玉杰	南京理工大学化工学院	1	3	1.0	1.0