高压VDMOS器件的研制及其抗辐照特性研究

• 作者: 张立荣
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 高压VDMOS 功率器件 SEB SEGR 辐照特性
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 33-37
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 2897字
• 语种: 中文

摘要

利用SILVACO工艺模拟软件和器件模拟软件以及L-Edit版图设计工具，我们对一款高压VDMOS功率器件进行了模拟仿真和优化设计。利用自主开发的VDMOS工艺流程完成了器件的实际流片。测试结果表明，器件的源漏击穿电压达到600 V以上，导通电阻小于2.5?，跨导为4 S，栅-源泄漏电流约为±100 nA，零栅电压时的漏-源泄漏电流约为10μA，二极管正向压降约为1.2 V。采用二维器件模拟仿真工具以及相关物理模型对所研制的高压VDMOS器件的SEB和SEGR效应进行了分析，并通过对所研制的器件样片采用钴-60γ射线源进行辐照实验，研究了在一定剂量率、不同总剂量水平下辐照对所研制的高压VDMOS器件相关电学参数的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立荣		1	1	1.0	1.0