硅振荡器的抗高过载实验设计与分析

• 作者: 王强 甄国涌 赵冬青 赵杰 陈倩
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 硅振荡器 高过载 马歇特锤击实验 炮击实验
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 332-335
• 页数: 4页
• 分类号: TN606
• 字数: 1913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.03.010

摘要

硅振荡器是一种在高过载条件下有可能代替石英晶体振荡器为应用系统提供稳定时钟的振荡器.对硅振荡器开展高过载实验研究,具有重要的应用价值.论文以LT℃6909Ⅰ型硅振荡器为实验对象,对高过载环境下可能产生的频率漂移及是否损坏这两个主要方面进行了实验研究.实验证明了硅振荡器能经受高过载环境的考验,可以代替石英晶体振荡器为应用系统提供稳定时钟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	甄国涌	中北大学电子测试技术国家重点实验室	99	529	11.0	16.0
5	赵冬青	中北大学电子测试技术国家重点实验室	21	49	4.0	6.0
6	赵杰	中北大学电子测试技术国家重点实验室	3	11	2.0	3.0
10	王强		3	25	3.0	3.0
11	陈倩		1	5	1.0	1.0