硅纳米结点电子输运性质的计算

• 作者: 柳福提 程晓洪 程艳 羊富彬 陈向荣
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 非平衡格林函数 硅纳米结点 电子输运
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 943-948
• 页数: 6页
• 分类号: O488|O469
• 字数: 3300字
• 语种: 中文

摘要

运用第一性原理密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,对3个Si原子构成的直线链耦合在Au(100)面形成的三明治结构的纳米结点的电子输运进行计算.结果得到结点电导随距离的变化,当dz=1.584 nm时,结合能最小,结构最稳定,此时Si-Si键长为0.216 nm,Si-Au键长为0.227 nm,电导为0.729 G0(G0 =2e2/h),其电子传输通道主要由Si原子的px、py轨道电子构成;随着外电压的增大,结点的电导减小,而其Ⅰ-Ⅴ曲线表现出线性特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程艳	四川大学物理科学与技术学院	27	110	7.0	9.0
2	柳福提	宜宾学院物理与电子工程学院	61	100	5.0	7.0
4	程晓洪	宜宾学院物理与电子工程学院	49	90	4.0	7.0
5	陈向荣	四川大学物理科学与技术学院	21	103	6.0	9.0
8	羊富彬	四川大学物理科学与技术学院	3	21	2.0	3.0