SiC和Si3N4粉体的太赫兹时域光谱研究

• 作者: 于名讯 张瑞蓉 潘士兵 邱桂花 韩建龙 黄成亮
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: 太赫兹波 太赫兹时域光谱 吸收 电导率 散射
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 颗粒测试与表征
• 页码范围: 62-65
• 页数: 4页
• 分类号: O436.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5548.2013.03.016

摘要

采用太赫兹时域光谱装置测试SiC和Si3N4粉体在0.4～2.4 THz的透射光谱,研究SiC和Si3N4粉体对太赫兹波的吸收性能与其电导率的关系,分析SiC和Si3N4粉体对太赫兹波的散射特性.结果表明,SiC是一种半导体材料,其内部含有较多可以自由移动的载流子,对太赫兹波的吸收较强；Si3N4是绝缘性很好的材料,对太赫兹波的吸收很小；SiC和Si3N4粉体对太赫兹波的散射作用属于瑞利散射,但是测试波长比粉体粒径大得多,散射效果不明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于名讯		45	376	11.0	16.0
2	潘士兵		24	153	8.0	11.0
3	韩建龙		11	32	4.0	5.0
4	邱桂花		15	86	6.0	9.0
5	张瑞蓉		12	31	4.0	5.0
6	黄成亮		13	46	4.0	6.0