GaAs基GaInNAs太阳电池研究进展

• 作者: 李国强 李景灵 高芳亮
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs GaInNAs 太阳电池
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 913-919
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文

摘要

在研究新型高效GaAs基三结和四结太阳电池过程中,研究者努力寻找一种既满足能隙约为1 eV,同时又与GaAs衬底晶格匹配的半导体材料.通过调节组分,GaInNAs可同时满足上述两个特性,因此GaInNAs被认为是制备新型高效多结GaAs基太阳电池的理想材料.但实际上,制备高晶体质量GaInNAs材料十分困难,造成所制备的器件性能低下,未能达到实际要求.探讨了导致GaInNAs材料生长困难的机理,并对当前GaAs基GaInNAs太阳电池材料的研究历程和技术现状进行了概述.在此基础上,展望了GaInNAs技术的未来走向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高芳亮	华南理工大学材料科学与工程学院发光材料与器件国家重点实验室	5	6	2.0	2.0
2	李国强	华南理工大学材料科学与工程学院发光材料与器件国家重点实验室	22	104	4.0	9.0
3	李景灵	华南理工大学材料科学与工程学院发光材料与器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0