VDMOS参数一种新失效模式的调查与分析

• 作者: 周桂丽
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: JEFT注入 N阱 P阱 输出曲线 打胶
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 可靠性分析
• 页码范围: 34-40
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 3696字
• 语种: 中文

摘要

该文通过详细记录一种新的VDMOS失效模式,按调查过程,层层抽丝剥茧,从JEFT注入到N阱形成,通过对比几个相近失效模式,最后找出造成失效的真正原因,并对失效模式进行分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周桂丽		2	0	0.0	0.0