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用于低功耗微型磁通门的Co77Fe2.5Mn1.4Mo2.1Si13B4非晶薄膜研究
用于低功耗微型磁通门的Co77Fe2.5Mn1.4Mo2.1Si13B4非晶薄膜研究
作者:
侯晓伟
刘诗斌
李菊萍
杨尚林
郭博
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Co 基非晶薄膜
微型磁通门
磁控溅射
退火
摘要:
采用直流磁控溅射方法制备了一种适用于微型磁通门的 Co77 Fe2.5 Mn1.4 Mo2.1 Si13 B4非晶软磁铁芯薄膜,并对薄膜进行了200℃外加面内横向磁场的真空退火。利用振动样品磁强计(VSM)、X 射线扫描仪(XRD)以及扫描电子显微镜(SEM)测试了薄膜的磁滞回线、相组成、表面形貌并进行了成分分析;使用制备得到的薄膜作为双铁芯磁通门的铁芯,测试了磁通门的激励电流、灵敏度和线性范围。结果表明,制备得到的薄膜主要呈非晶态,具有较大的相对磁导率并且磁滞回线在小磁场下出现明显的拐点;用作磁通门铁芯薄膜时,能得到类似使用Co基非晶带材铁芯时的明显的磁通门信号;工作在40kHz 时,磁通门传感器能以有效值22mA 的激励电流获得2700V/T 的输出电压灵敏度。因此,制备得到的薄膜适用于低功耗、高灵敏度微型磁通门传感器。
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文献信息
篇名
用于低功耗微型磁通门的Co77Fe2.5Mn1.4Mo2.1Si13B4非晶薄膜研究
来源期刊
功能材料
学科
工学
关键词
Co 基非晶薄膜
微型磁通门
磁控溅射
退火
年,卷(期)
2013,(18)
所属期刊栏目
工艺?技术
研究方向
页码范围
2719-2723
页数
5页
分类号
TN105|TP212
字数
3920字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.030
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘诗斌
西北工业大学电子信息学院
84
743
15.0
22.0
2
杨尚林
西北工业大学电子信息学院
7
58
5.0
7.0
3
郭博
西北工业大学电子信息学院
11
78
6.0
8.0
4
李菊萍
西北工业大学电子信息学院
8
49
5.0
6.0
5
侯晓伟
西北工业大学电子信息学院
7
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传播情况
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引证文献(3)
二级引证文献(0)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
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节点文献
Co 基非晶薄膜
微型磁通门
磁控溅射
退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
主办单位:
重庆材料研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-9731
CN:
50-1099/TH
开本:
16开
出版地:
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
邮发代号:
78-6
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
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