纳米MgO/PI杂化薄膜的制备及其击穿特性

• 作者: 杨瑞宵 王春平 范勇 陈昊
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 纳米氧化镁 电气强度 SEM
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 48-50
• 页数: 3页
• 分类号: TM215.3
• 语种: 中文

摘要

采用微乳化-热液法制备了纳米氧化镁粒子，并原位聚合制得纳米氧化镁掺杂改性聚酰胺酸，制备出纳米氧化镁掺杂量分别为0%、2%、4%、6%、8%的杂化聚酰亚胺薄膜，并研究了其击穿特性。结果表明：无机纳米氧化镁粒子在聚酰亚胺基体中分布均匀，纳米氧化镁掺杂量约为4%时，电气强度出现最大值。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范勇	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	70	539	13.0	18.0
5	陈昊	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	32	202	8.0	12.0
6	杨瑞宵	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	17	70	4.0	7.0
7	王春平	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	3	39	3.0	3.0