超临界CO2技术制备超细SiO2的研究

• 作者: 丁涌 周玉丰 宋丽贤 宋英泽 芦艾
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 超临界二氧化碳 超细二氧化硅 制备
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 1712-1717
• 页数: 6页
• 分类号: O643
• 字数: 2929字
• 语种: 中文

摘要

本文以水玻璃为硅源,利用超临界CO2(sc CO2)技术制备出超细SiO2粉体,研究了压力、温度对超细SiO2粒子粒径和Zeta电位的影响,采用Zeta电位及激光粒度分析仪、X射线衍射(XRD)、自动吸附仪等测试方法对粉体的结构和性能进行了分析表征.结果表明:当压力为8 MPa,温度为50℃时,所得超细SiO2粒子粒径分布较窄且平均粒径最小,为472.9 nm,且Zeta电位取得较小值,为-55.68 mV；所得超细SiO2粒子属于非晶态,且与市售的T36-5 SiO2粒子相比,其孔结构更加致密.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周玉丰		1	3	1.0	1.0