芯片制作过程中切割道光刻对准标记的优化

• 作者: 刘丽丽 王永刚 胡惠娟
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 缺陷 光刻对准标记
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 18-20,42
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2038字
• 语种: 中文

摘要

在0.18μm高压产品工艺生产过程中，作者发现晶片在钨化学机械研磨制程后会有很严重的钨剥落缺陷，此种缺陷成行排列，有一定规律，与光罩的曝光间隔距离相匹配，该缺陷会导致产品良率有非常明显的下降。同时在生产过程中也发现在MIM上极板蚀刻后，有些聚合物难以去除，此种残留物也来自曝光的固定位置。因此解决这类与光罩相关的缺陷和残留物显得尤为重要。作者经过深入的研究分析以及实验验证，通过对切割道上的光罩对准标记进行优化，彻底解决了这两种缺陷问题，使得产品的良率得以提升。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丽丽		1	1	1.0	1.0
2	王永刚		1	1	1.0	1.0
3	胡惠娟		1	1	1.0	1.0