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摘要:
重点介绍了目前去除SiHCl3中硼杂质的先进方法,主要有萃取法、络合物法、吸附法、部分水解法和精馏法,并展望了后续SiHC13的除硼工艺,指出应将不同的提纯工艺优化结合,建立严格科学的痕量杂质全过程技术管理控制体系,进一步优化杂质监测分析技术,才能高效、经济地去除SiHC13中的杂质.
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文献信息
篇名 三氯氢硅除硼工艺研究进展
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 高纯SiHCl3 硼杂质 提纯 氯硅烷
年,卷(期) 2013,(9) 所属期刊栏目 材料综述
研究方向 页码范围 29-32
页数 4页 分类号 TQ127.2
字数 4541字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱晓云 昆明理工大学材料科学与工程学院 63 794 16.0 25.0
2 卢海波 昆明理工大学材料科学与工程学院 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
高纯SiHCl3
硼杂质
提纯
氯硅烷
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
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16557
总下载数(次)
86
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