双条形电极结构AlGaInP-LED微阵列器件的设计和实验研究

• 作者: 梁中翥 梁静秋 王维彪 田超 秦余欣
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP 微阵列 双条形电极 微光机电系统
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1494-1499
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 3995字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133411.1494

摘要

设计了一种基于A1GaInP发光材料的像素为320×240、单元像素面积为100 μm×100 μm微型LED阵列.通过仿真和分析,设计了一种双条形电极结构.考虑到不同电极宽度下的电流分布情况以及电极的遮光效应,设计了电极宽度为13 μm的优化电极结构,使得每个发光像素的表面出光面积比为50.15％,并分析了电极对有源层出射的光的反射影响.制定了基于MOEMS工艺的微型LED器件的制作流程并进行了基本实验研究,最终给出了制作出的上电极的单个单元照片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁中翥	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	50	225	8.0	12.0
2	梁静秋	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	66	389	11.0	17.0
3	秦余欣	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	18	47	4.0	6.0
4	田超	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	13	59	5.0	7.0
8	王维彪		29	91	6.0	7.0