应用碳化硅表面改性技术降低全息-离子束刻蚀光栅刻槽的粗糙度

• 作者: 王彤彤
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 表面改性 光栅 全息-离子束刻蚀 等离子辅助
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1489-1493
• 页数: 5页
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 2038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133411.1489

摘要

采用具有良好比刚度和热稳定性的碳化硅材料作为基底,使用全息-离子束刻蚀技术制作了光栅.碳化硅材料表面固有缺陷导致制作的光栅刻槽表面粗糙度高,槽底和槽顶粗糙度分别达到了29.6 nm和65.3nm (Rq).通过等离子辅助沉积技术在碳化硅表面镀制一层均匀的硅改性层,经过抛光可以获得无缺陷的超光滑表面.XRD测试表明制备的硅改性层为无定形结构.原子力显微镜的测试结果表明:经过抛光后,表面粗糙度为0.64nm(Rq).在此表面上制作的光栅刻槽表面粗糙度明显降低,槽底和槽顶粗糙度分别为2.96nm和7.21 nm,相当于改性前的1/10和1/9.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彤彤	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院光学系统先进制造技术重点实验室	13	51	4.0	6.0