富硅a-SiOxNy∶H薄膜的电致发光特性

• 作者: 宋捷 宋超 张毅 林圳旭 林泽文 王祥 郭艳青 黄新堂 黄锐
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮氧化硅薄膜 红光 电致发光
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1479-1482
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133411.1479

摘要

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积方法制备富硅氮氧化硅(a-SiO0.35N0.59∶H)薄膜,以这层薄膜作为有源层构建发光二极管.实验结果表明器件在室温下可观测到强的电致红光发射,发光峰在715 nm附近,与其光致发光峰位一致.电致发光谱测量还表明器件开启电压为8V,器件的电致发光强度随注入电流的增大呈线性递增关系.电流-电压特性分析表明器件的载流子输运机制以Pool-Frenkel (P-F)发射模型为主.结合发光有源层的微结构分析,初步认为电致红光发射来自于电子和空穴通过有源层的带尾态的辐射复合.