超低导通电阻Ron的SiC沟槽器件

• 作者: 殷丽(译) 王传敏(译)
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: SIC 超低导通电阻 沟槽结构
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN389

摘要

本文介绍了下一代碳化硅（SiC）平面MOSFET、沟槽结构肖特基二极管和沟槽MOSFET器件。首先，开发了SiC平面MOSFET，可以抑制在正向电流通过时引起寄生PN结二极管的劣化；其次，开发了新型沟槽SiC肖特基二极管，与传统SiC二极管相比，在州接受的漏电流条件下，具有更低的正向压降；第三，开发了新型双沟槽结构SiC MOSFET，在保持超低导通电阻的同时．提高了器件的可靠性，其主婴原㈥在于新结构有效降低了槽栅底部的最大电场强度，抑制了栅氧的击穿。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷丽(译)		1	0	0.0	0.0
2	王传敏(译)		1	0	0.0	0.0