电磁脉冲作用下二极管二次击穿电热特性

• 作者: 任兴荣 杨银堂 柴常春 马振洋
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 电磁脉冲 二极管 二次击穿 触发温度 损伤阈值
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 36-42
• 页数: 7页
• 分类号: TN306
• 字数: 4435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2013.02.007

摘要

对p-n-n+二极管在电磁脉冲作用下的二次击穿过程进行了二维瞬态电热仿真,研究了二次击穿过程中二极管内部的电场和电流密度分布以及端电压和端电流随电磁脉冲作用时间的变化,探索了二次击穿触发温度、触发电流和触发能量随延迟时间的变化规律.研究结果表明,电磁脉冲作用下二极管的二次击穿属于热二次击穿,电流集中并非二次击穿发生的必要条件,触发温度和触发电流随延迟时间的减小而增大,但触发能量则随延迟时间的减小而减小,仿真得到的电磁脉冲损伤能量阈值与实验数据吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	柴常春	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	80	592	15.0	19.0
3	任兴荣	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	93	4.0	4.0
4	马振洋	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	69	3.0	3.0