基于第一性原理计算的Ti掺杂ZrO2的阻变存储机理

• 作者: 周星 王建军 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 形成能 结合能 局域 态密度 辅助 导电细丝
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 845-850
• 分类号: TN304.21
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.11.010

摘要

基于第一性原理对双Ti掺杂下相邻位置氧空位形成能以及整体缺陷结合能进行计算,阐述不同相对位置双Ti掺杂对氧空位形成以及整体缺陷稳定性的影响.另外通过配置双Ti之间氧空位数量及其价态来研究电子局域函数及Ti离子的部分态密度(PDOS),模拟计算结果说明了既存氧空位及其所带电荷对Ti离子的影响,并且揭示了掺杂的Ti离子对于氧空位电子局域的重要作用.提出了氧空位辅助Ti离子形成局部导电细丝的阻变机制模型,从而解释了实验中得出的Ti掺杂对于ZrO2的形成电压,均匀性等相关阻变性能改进的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军宁	安徽大学电子信息工程学院	160	1135	16.0	26.0
2	高珊	安徽大学电子信息工程学院	28	89	6.0	8.0
3	周星	安徽大学电子信息工程学院	2	3	1.0	1.0
4	王建军	安徽大学电子信息工程学院	4	3	1.0	1.0