不同衬底材料对光刻胶剖面的影响

• 作者: 张世权 朱斌 顾霞
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻胶剖面 抗反射层 薄膜厚度
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1211字
• 语种: 中文

摘要

文章研究了在127 mm硅片上分别生长金属铝和二氧化硅氮化硅叠两种IC常用材料作为衬底对光刻胶形貌的影响，其造成光刻胶形貌差的原因是金属底部反射率高导致光刻胶侧面曝光和入射光通过二氧化硅氮化硅叠层厚度的光程差正好为光源波长的整数倍，从而导致光刻胶底部干涉光同相位。通过增加底部抗反射层和调整最佳膜层厚度解决了在这两种衬底材料下光刻胶形貌差的问题。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张世权		5	3	1.0	1.0
2	朱斌		1	0	0.0	0.0
3	顾霞		2	0	0.0	0.0