NandFlash中高位可配置BCH编码器的研究

• 作者: 毛旭富
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: 闪存 纠错码 BCH 并行 可配置
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 87-89,92
• 页数: 4页
• 分类号: TN762
• 字数: 2617字
• 语种: 中文

摘要

为了满足存储器市场对于高存储容量的NandFlash的需求,在NandFlash控制器中ECC纠错模块的数据纠错与加密能力越来越受关注.文中实现了一种支持最大编码长度为8560,纠错能力可达24比特的BCH编码器.该编码器具备参数化配置的能力,可并行编码,并从面积与延时的角度对编码器做了数学优化.可以应用于固体硬盘主控、USB KEY等需要有NandFlash控制模块的芯片中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛旭富	上海交通大学芯片与系统研究中心	1	6	1.0	1.0