HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究

• 作者: 史艳磊 孙聂枫 李晓岚 李玉茹 邵会民 黄清芳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 直径4英寸 InP单晶 平放肩 孪晶 高压液封直拉技术
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 840-844,850
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.11.009

摘要

利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了＜100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响.采用平放肩工艺进行了3～4英寸(1英寸=2.54 cm)InP单晶的生长.通过多次实验,可重复生长出直径80 ～ 110 mm、长62～112 mm的3～4英寸InP单晶锭.介绍了平放肩工艺技术特点和应用效果.经过统计和分析,认为InP晶体生长中放肩阶段的孪晶产生由多种因素造成,不存在所谓的“临界放肩角”.通过热场调整和工艺控制,可以用较低的提拉速度在较短时间内生长出3～4英寸头部;通过等径控制,可以生长出无孪晶或孪晶较少的高质量InP单晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉茹	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	2	1.0	1.0
2	孙聂枫		8	24	3.0	4.0
3	黄清芳		1	1	1.0	1.0
4	李晓岚		1	1	1.0	1.0
5	邵会民		1	1	1.0	1.0
6	史艳磊		1	1	1.0	1.0