非晶Cr/Ge多层膜的磁性和电性能研究

• 作者: 杨少贵 王锋 许辉鳄
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶多层膜 磁控测射 磁性 导电机理
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 1658-1663
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4685字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜.随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应.扣除Ge层的抗磁性,制备态的[Cr2.7/Ge7.3]20的饱和磁化强度Ms可达33 emu/cm3.提出了磁性起源于Cr原子层间耦合的模型,薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖电子变程跃迁机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王锋	泉州师范学院物理与信息工程学院	17	21	3.0	3.0
2	许辉鳄	泉州师范学院物理与信息工程学院	2	9	1.0	2.0
3	杨少贵	泉州师范学院物理与信息工程学院	1	0	0.0	0.0