SrHfON高κ栅介质薄膜的漏电特性研究

• 作者: 冯丽萍 刘正堂 王雪梅
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高κ栅介质 SrHfON 漏电流机制 应力感应漏电流
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 778-782
• 分类号: TN386.1|O484.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.08.10

摘要

采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应漏电流(SILC)效应.结果表明,MOS电容的漏电流密度随N2流量的增加而减小.在正栅压下,漏电流主要由Schottky发射机制引起；在负栅压下,漏电流机制在低、中、高栅电场区时分别为Schottky发射、F-P发射和F-N隧穿机制.同时,Au/SrHfON/Si MOS电容表现出明显的SILC效应,经恒压应力后薄膜在正栅压下的漏电流由Schouky发射和F-P发射机制共同作用,且后者占主导地位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正堂	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	120	749	14.0	21.0
2	冯丽萍	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	45	159	7.0	9.0
3	王雪梅	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	2	2	1.0	1.0