应用门效应-分子印迹传感器测定盐酸强力霉素

• 作者: 吴芳 李建平 魏小平
• 来源期刊: 分析试验室
• 学科: 化学
• 关键词: 分子印迹 盐酸强力霉素 门效应 电化学传感器
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 研究报告与研究简报
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: O657.1
• 语种: 中文

摘要

利用邻苯二胺作为功能单体,盐酸强力霉素为模板分子,用电聚合的方法在金电极表面制备出对盐酸强力霉素可进行特异识别的分子印迹膜,利用门控制原理对盐酸强力霉素进行测定.表征了分子印迹膜的性能、印迹效应;试验了测定条件;该传感器对盐酸强力霉素的检测具有良好的选择性.盐酸强力霉素的浓度在2.0×10-9～1.0 × 10-7mol/L范围内与响应电流呈线性关系,检出限达8.7×10-10 mol/L,低于现有分析方法.该传感器可用于鱼肉样品中盐酸强力霉素的检测,回收率在96.6％ ～ 103.1％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平		80	403	11.0	16.0
2	魏小平		26	104	6.0	8.0
3	吴芳		2	0	0.0	0.0