日立中研发表SiC JFET研发成果

• 作者: 宏海
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: SIC JFET 应用物理学 中央研究所 学术研究会 功率晶体管 导通电阻 功率电子 电源电路 芯片
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（3）
• 页码范围: 7-7
• 页数: 1页
• 分类号: TN304.24

摘要

【正】日立制作所中央研究所(以下简称日立中研)在2013年3月27～30日举行的"日本第60届应用物理学会春季学术研究会"的"SiC功率电子技术的最前沿"会议上,就该公司正在开发的SiC JFET发表了演讲。SiC功率晶体管除了JFET