FeZrBNb单层膜的巨磁阻抗效应

• 作者: 王文静 袁慧敏
• 来源期刊: 电子技术
• 关键词: 巨磁阻抗效应 感生各向异性 薄膜 退火
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 电子技术研发
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 字数: 2525字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2013.04.007

摘要

用高频溅射法制备了FeZrBNb合金薄膜,研究了制备条件、制备工艺对薄膜样品巨磁阻抗效应的影响.结果表明,增大薄膜的厚度可以提高样品的阻抗比,13 MHz下,厚度为10.8 μm的薄膜样品的最大纵向阻抗比为2.5％；在制备过程中加磁场可以在薄膜中感生出磁各向异性场,进而提高薄膜的阻抗比.同时,退火可以提高材料的软磁特性,增强薄膜的巨磁阻抗效应,对薄膜进行退火处理后,薄膜的纵向和横向阻抗比分别提高到1.7％和1.5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文静	齐鲁师范学院物理系	7	4	2.0	2.0
2	袁慧敏	齐鲁师范学院物理系	3	0	0.0	0.0