科锐宣布量产第二代碳化硅MOSFET器件

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率密度 转换效率 市场领先者 系统尺寸 太阳能逆变器 FRAUNHOFER 不间断电源 功率模块
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（3）
• 页码范围: 11-12
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

【正】碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200 VMOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率,而每安培成本仅为上一