PECVD法氮化硅薄膜制备工艺的研究

• 作者: 孙建洁 张世权 朱赛宁 汪文君
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积法 氮化硅薄膜 硅烷氨气流量比 退火
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2711字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在单晶硅衬底上制备了氮化硅薄膜，分别使用膜厚仪、椭圆偏振仪等手段对薄膜的厚度、折射率等参数进行了表征。研究了硅烷氨气流量比、极板间距等工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响，发现当硅烷氨气流量比增加时，薄膜厚度和折射率均随之增加，并发现退火工艺可以有效降低氮化硅薄膜的氢氟酸腐蚀速率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱赛宁		2	4	1.0	2.0
2	孙建洁		3	5	2.0	2.0
3	张世权		5	3	1.0	1.0
4	汪文君		1	3	1.0	1.0