InSb光电导太赫兹辐射理论研究

• 作者: 李亭亭 李国新 潘武 黄书磷
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光物理 太赫兹辐射 光电导 锑化铟 俄歇弛豫
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 激光物理与激光器件
• 页码范围: 239-242
• 页数: 4页
• 分类号: O431.1
• 字数: 2654字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2013.02.025

摘要

为了研究锑化铟(InSb)半导体材料的光电导太赫兹辐射过程,推导了太赫兹近场辐射公式.在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影响的情况下,分析了InSb光生载流子浓度、载流子散射率以及光电导表面反射率随时间的变化.结果表明,数值模拟与文献中的实验曲线变化趋势一致,计算结果吻合,证明了该研究方法的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘武	重庆邮电大学光电工程学院	63	272	8.0	13.0
2	李亭亭	重庆邮电大学光电工程学院	4	10	2.0	3.0
3	李国新	重庆邮电大学光电工程学院	4	10	2.0	3.0
4	黄书磷	重庆邮电大学光电工程学院	1	3	1.0	1.0