Ka波段GaAs MMIC单平衡宽带混频器

• 作者: 宋柏 徐军 王文军 高铭
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: 混频器 单平衡 晶体管(PHEMT) Lange耦合器 变频损耗
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 661-665
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.09.004

摘要

介绍了单平衡混频器和Lange耦合器的工作原理,基于0.15 μm GaAs PHEMT工艺技术,设计了一款Ka波段单平衡宽带混频器芯片,仿真结果显示该混频器芯片在30 ～ 40 GHz频率范围内获得了良好的性能,变频损耗小于10 dB,射频-本振隔离度大于30 dB,中频-本振隔离度大于35 dB,中频-射频隔离度大于40 dB,同时具有优良的驻波特性,P-1 dB功率大于0 dBm.该芯片尺寸为1.7 mm×1.8 mm.对该混频器进行了流片,并进行测试,测试结果表明,该混频器变频损耗约为8 dB,各端口间隔离度均优于30 dB.测试结果和仿真结果一致性良好.采用Lange耦合器是该混频器的特点,使它获得了良好的性能指标和更宽的带宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐军	电子科技大学物理电子学院	59	453	12.0	18.0
2	王文军	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	15	3.0	3.0
3	高铭	电子科技大学物理电子学院	1	4	1.0	1.0
4	宋柏	电子科技大学物理电子学院	1	4	1.0	1.0