T6和T78时效工艺对Al-Mg-Si-Cu合金显微结构和性能的影响

• 作者: 冯佳妮 刘春辉 李祥亮 王时豪 陈江华
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝合金 析出相 晶界 晶间腐蚀 显微结构
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 243-250
• 页数: 8页
• 分类号: TG113|TG178
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1037.2012.00509

摘要

借助显微硬度测试、电导率测试、浸泡腐蚀实验、SEM,TEM和元素面扫描,研究了T6和T78时效工艺对Al-0.75Mg-0.75Si-0.8Cu(质量分数,％)合金显微结构和性能的影响.结果表明,实验合金在T6峰值时效(180℃,8 h)时,硬度为128.3 HV,电导率为27.3×106 S/m.在T6(180℃,5 h)基础上,分别进行温度为195,205和215℃的二级时效,即T78时效工艺,随二级时效时间的延长,合金硬度总体变化趋势为先降低后升高,而电导率值逐渐增大；最佳T78工艺为(180℃,5 h)+(195℃,2 h),此时合金的硬度最高,为129.2 HV,电导率为27.6×106 S/m.TEM观察发现,T6峰值时效时,晶粒内主要析出针状的β″相,经T78双级时效处理后,晶粒内析出大量的板条状析出相,而晶界无析出带仅稍有变化.T78工艺能在保持力学性能的同时,大幅提高耐晶间腐蚀性能,其原因是晶粒内形成了表面有Cu富集的板条状析出相.晶粒内析出大量板条状强化相,使得合金硬度与T6峰值相当,同时Cu偏聚在析出相与Al基体界面处,促使更多Al基体中的Cu析出,基体与无析出带(PFZ)电位差大大降低,使得其抗晶间腐蚀性能大大提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈江华		58	432	10.0	18.0
2	刘春辉		19	179	7.0	13.0
3	李祥亮		4	21	2.0	4.0
4	冯佳妮		4	28	3.0	4.0
5	王时豪		4	20	3.0	4.0