用于可编程器件的MTM反熔丝特性研究

• 作者: 吴建伟 洪根深 王栩 高向东
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: MTM反熔丝 ONO反熔丝 可编程器件
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1839字
• 语种: 中文

摘要

基于ONO（Oxide-Nitride-Oxide）和MTM（Metal-to-Metal）反熔丝技术的可编程存储及逻辑器件已经广泛应用于空间技术中。MTM反熔丝以其单元面积小、集成度高、反熔丝电容小和编程后电阻小等优势，更加适合深亚微米集成电路。文章通过制备MTM反熔丝单元，对单元的击穿特性和漏电性能展开研究，给出了反熔丝单元漏电流与单元尺寸的关系，对单元的编程电流和编程后的电阻值关系进行了研究，与文献[1]给出的Ron=Vf/Ip的关系基本一致。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	吴建伟		25	39	4.0	4.0
3	高向东		6	22	4.0	4.0
4	王栩		3	8	2.0	2.0