SiC单晶片研磨过程材料去除率仿真与试验研究

• 作者: 李淑娟 李言 胡海明 高晓春
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 机械制造工艺与设备 SiC单晶片 研磨过程 材料去除率 建模
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 1125-1131
• 页数: 7页
• 分类号: TH460.25
• 字数: 4455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1093.2013.09.011

摘要

分析了SiC单晶片研磨过程的材料去除机理,采用统计方法描述了磨粒粒度的分布规律,推导出参与研磨过程的活动磨粒数量计算公式.依据SiC单晶片—磨粒和研磨盘—磨粒接触处的变形情况,建立了SiC单晶片研磨过程材料去除率(MRR)的预测模型.以该模型为基础,讨论了研磨盘硬度、压力和磨粒粒度等因素对MRR的影响,并进行了相同条件下的研磨试验.理论计算与试验结果对比分析表明:所建立的模型可以较准确地预测SiC单晶片研磨过程的MRR;为其他单晶材料研磨过程MRR的预测和控制提供了参考依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	361	3453	31.0	39.0
2	李淑娟	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	137	1091	18.0	27.0
3	胡海明	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	3	27	2.0	3.0
4	高晓春	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	1	15	1.0	1.0