基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究

• 作者: 董承远 詹润泽 贾田颖
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶铟镓锌氧化物 AMOLED 薄膜晶体管 像素电路
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 发光学应用及交叉前沿
• 页码范围: 1240-1244
• 页数: 5页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2325字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133409.1240

摘要

非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)有望在有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路中得到实际应用,但其电压偏置效应仍会引起电路特性的不稳定.本文利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取并建立了SPICE仿真模型,通过拟合得到了它的阈值电压随时间变化的方程.在此基础上,采用SPICE软件对基于a-IGZO TFT的2T1C和3T1C两种AMOLED像素电路的稳定性进行了比较研究,证明3T1C电路对阈值电压偏移确实存在一定的补偿效果.最后讨论了进一步改善AMOLED像素电路稳定特性的方法和实际效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾田颖	上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系	1	4	1.0	1.0
2	詹润泽	上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系	1	4	1.0	1.0
3	董承远	上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系	12	28	4.0	5.0