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摘要:
对SiC粉体进行热处理,采用Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂,在1 750~1 950℃下30 MPa热压烧结1h,制备SiC陶瓷.TG分析SiC的氧化特性,测定Zeta-电位研究SiC粉体的分散特性,测定其高温浸润性研究烧结助剂与SiC之间的亲和性.结果表明:SiC粉体热处理和提高SiC浆体的pH值,有利于提高Zeta-电位,进而提高分散均匀性;Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂高温下与SiC具有良好的浸润性;SiC粉体热处理明显降低了烧结温度.尽管Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂在高温下有一定的挥发,但是当其含量大于等于9%(质量分数)时,1 800~1 950℃下热压烧结可获得显气孔率小于等于0.19%的致密SiC陶瓷,其热导率大于190 W·m-1·K-1.
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关键词热度
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文献信息
篇名 Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂对SiC陶瓷烧结和导热性能的影响
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 SiC陶瓷 热压烧结 烧结助剂 热导率 Zeta-电位 显气孔率
年,卷(期) 2013,(5) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 1-5
页数 5页 分类号 TQ173
字数 4225字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.05.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周洪庆 南京工业大学材料科学与工程学院 94 730 13.0 19.0
2 戴斌 南京工业大学材料科学与工程学院 20 61 5.0 7.0
3 郜玉含 南京工业大学材料科学与工程学院 5 27 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
SiC陶瓷
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烧结助剂
热导率
Zeta-电位
显气孔率
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成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
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