阳极氧化电压对TiO2纳米管阵列生长及场发射性能的影响

• 作者: 叶芸 洪春燕 蒋亚东 郭凡 郭太良 颜敏
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 阳极氧化 TiO2纳米管阵列 场发射 开启场强
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 141-145
• 分类号: O462.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.02.08

摘要

室温下在HF水溶液中,利用阳极氧化法在纯钛表面制备了规则有序的TiO2纳米管阵列,应用场致发射扫描电子显微镜、X射线光电子能谱对纳米管阵列表面形貌、断面结构及元素组成进行表征,并对所得样片的场发射性能进行测试,研究了阳极氧化电压对TiO2纳米管阵列形貌及场发射性能的影响.结果表明:在一定范围内增大氧化电压,可增大纳米管的管径、壁厚和管长,但壁厚变化比较小.随着氧化电压的增大,开启场强先降低后增大.当氧化电压为10 V时,所获得的TiO2纳米管阵列开启场强最低,为3.15 V/μm,在6h内8 V/μm电场下保持了稳定的场发射,电流密度为0.85 mA/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭太良	福州大学物理与信息工程学院	302	1102	15.0	21.0
2	蒋亚东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
3	叶芸	福州大学物理与信息工程学院	47	123	5.0	8.0
4	颜敏	福州大学物理与信息工程学院	4	2	1.0	1.0
5	洪春燕	福州大学物理与信息工程学院	4	9	2.0	3.0
6	郭凡	福州大学物理与信息工程学院	6	10	2.0	3.0