抗辐照加固BICMOS结构电路的版图简化设计

• 作者: 代雪峰 唐宁 王沦
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐照加固 振荡器 接口
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 11-13
• 页数: 3页
• 分类号: TN492
• 字数: 1176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2013.04.003

摘要

就金属-氧化物-半导体(MOS)器件和双极器件混合结构(BICMOS)电路的抗辐照加固技术的设计而言,器件种类多会导致在硅工艺实现上的复杂性和失效问题.就此,提出了一种新的抗辐照加固设计方案.利用MOS器件抗辐照加固工艺的设计规则,完成对双极器件的版图集成,实现BICMOS结构的电路功能.最终,以通信接口类芯片产品中常用的振荡器单元为例进行仿真验证,达到设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐宁	中国电子科技集团公司第四十七研究所	11	20	2.0	4.0
2	代雪峰	东北大学理学院物理系	13	24	3.0	4.0
3	王沦	中国电子科技集团公司第四十七研究所	3	6	1.0	2.0