Ti-Si-N薄膜生长过程的计算机模拟

• 作者: 刘学杰 姜永军 孙士阳 洪超
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ti-Si-N薄膜 薄膜生长 计算机模拟 MEAM势
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与探索
• 页码范围: 9-12
• 分类号: O484.1|TP391.9
• 语种: 中文

摘要

首次应用修正嵌入原子法(MEAM)以及动力学蒙特卡洛方法(KMC)对Ti-Si-N薄膜的生长过程进行了计算机仿真模拟.在合理选择势函数及MEAM各项参数的基础上,利用编程软件仿真在不同基底温度下的薄膜生长过程.与采用传统简单的Mouse势进行模拟的结果相比,这种新方法的模拟结果更加准确,与实验结果更加吻合.仿真结果表明:基底温度对Ti-Si-N薄膜的形成过程有着直接的影响,当基底温度为800 K时,岛所形成的形貌最为理想,缺陷率最低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘学杰		57	114	6.0	7.0
2	孙士阳		19	25	3.0	4.0
4	姜永军		23	79	5.0	8.0
7	洪超		1	3	1.0	1.0