碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究

• 作者: 李萌萌 武红磊 郑伟 郑瑞生 闫征
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 掺杂 p型导电 半导体材料 AlN
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1199-1202
• 页数: 4页
• 分类号: O474|O433
• 字数: 2111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133409.1199

摘要

在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究.通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和Cls的XPS谱分析)发现,样品中C替代N成为受主,而Si替代Al成为施主.样品的PL谱主要包括两个特征发射峰,分别来自于C、Si在AlN中形成的复合物VN-CN和CN-SiAl.