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摘要:
设计了64×64 AlGaN雪崩光电二极管(APD)阵列的读出电路,该读出电路采用了具有稳定探测器偏压能力的电容跨阻抗放大器(CTIA)结构.利用APD的等效电路模型,推导了电荷-电压转换因子(CVF)与积分电容、放大器增益的关系.为增加最大探测光电流、降低响应的非均匀性,利用上述关系得到积分电容为70 fF,放大器增益为300.读出电路的地址选择采用移位寄存器来实现,并采用电压缓冲器实现信号的输出.
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文献信息
篇名 一种弱光成像用AlGaN APD阵列的读出电路设计
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 读出电路 雪崩光电二极管 CTIA 电荷-电压转换因子
年,卷(期) 2013,(4) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 569-572,575
页数 分类号 TN36
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 熊平 21 434 5.0 20.0
2 刘昌举 26 77 5.0 6.0
3 祝晓笑 19 44 5.0 5.0
4 吴治军 10 29 4.0 4.0
5 邓光平 4 11 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
读出电路
雪崩光电二极管
CTIA
电荷-电压转换因子
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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