PCVD法制备Fe-6.5％Si高硅钢片的工艺研究

• 作者: 周磊 张改璐 彭骏松 徐超 潘应君
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: PCVD 6.5％Si硅钢片 渗硅 扩散处理
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 88-90
• 分类号: TG174.444
• 语种: 中文

摘要

为制备Fe-6.5％Si高硅钢片,先利用PCVD技术在0.2 mm厚的纯铁片表面沉积硅,再进行高温扩散.通过正交实验分析了沉积硅的工艺参数对表层硅含量的影响,并研究了扩散参数对截面硅含量分布的影响.结果表明:以10％ Sill4+90％ Ar作为渗源气,在500℃下沉积20 min,所得样品的表层硅含量高达40.5％；然后在工业纯氢气的保护下,于1050℃保温60 min,可获得满足要求的Fe-6.5％Si高硅钢片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘应君		72	522	12.0	19.0
2	徐超		21	114	6.0	9.0
3	周磊		2	8	1.0	2.0
4	彭骏松		2	12	2.0	2.0
5	张改璐		2	12	2.0	2.0