电子辐照对直拉硅单晶电学参数的影响

• 作者: 冯翠菊 蔡莉莉 陈贵锋
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 电子辐照 少子寿命 辐照缺陷 电阻率
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 82-86
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2013.01.015

摘要

对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化.结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加的越多,少子寿命下降越明显.对辐照样品进行不同温度热处理发现热处理温度低于600℃,少子寿命基本处于稳定值,当退火温度达到650℃时,辐照样品的电阻率与少子寿命均恢复至辐照前的初始值,表明在该温度下辐照引入的缺陷基本消除,因此晶体的导电能力逐渐恢复.而经750℃热处理后,辐照样品的少子寿命和电阻率分别出现一个低谷,辐照剂量越高电阻率和少子寿命值在该温度下下降幅度越大,而且随着热处理时间的延长,辐照样品电阻率不断下降,通过间隙氧含量的测量也初步证明电阻率的下降与间隙氧原子的偏聚有关,该温度下电阻率的下降与辐照相关联.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈贵锋	河北工业大学材料学院信息功能材料研究所	22	59	5.0	6.0
2	冯翠菊	华北科技学院基础部物理教研室	19	60	4.0	7.0
3	蔡莉莉	华北科技学院基础部物理教研室	16	64	4.0	7.0