热处理对CuInS2薄膜导电类型及光学特性的影响

• 作者: 和江变 李健 董斌华
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 真空蒸发 热处理 CuInS2薄膜 导电类型 光学特性
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

真空蒸发在载玻片上沉积CuInS2薄膜(Cu、In、S原子配比为1∶0.1∶1.2).摸索CuInS2薄膜发生导电类型转换最有效的热处理条件,研究不同热处理工艺对CuInS2薄膜的结构、表面形貌、化学成分比和光学性能的影响.实验给出:沉积的薄膜进行360℃热处理30 min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜;SEN分析显示薄膜表面呈颗粒状较平整致密性略差,导电类型为N型,薄膜的本征吸收限为1.46eV,直接光学带隙Eg=1.38 eV.对薄膜进行370℃热处理20 min同样可得到N型CuInS2但含有少量的CuS2成分,薄膜表面致密性变好但粗糙度增大,本征吸收限发生红移为1.42 eV,Eg=1.40 eV.370℃,30 min热处理后可得到P型CuInS2薄膜,Eg=1.37 eV.制备的三种CuInS2薄膜的光吸收系数都在104 cm-1数量级以上.CuInS2薄膜中In或Cu元素含量大小,对薄膜的导电类型的变化起着决定性的作用,而薄膜中S和In元素的变化直接取决于热处理的条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李健	内蒙古大学物理科学与技术学院	36	200	7.0	12.0
3	和江变	内蒙古大学物理科学与技术学院	1	3	1.0	1.0
9	董斌华	内蒙古大学物理科学与技术学院	3	14	3.0	3.0