LPCVD多晶硅形貌对氧化层击穿特性的影响

• 作者: 向华兵 廖乃镘 李仁豪 罗春林 阙蔺兰 龙飞
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 击穿强度 氧化 多晶硅
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 244-246
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文

摘要

多晶硅表面对于电荷耦合器件(CCD)的制作非常重要.采用扫描电子显微镜(SEM)和电学分析技术研究了低压化学气相(LPCVD)法淀积的多晶硅形貌对击穿特性的影响.研究结果表明,减小多晶硅表面颗粒尺寸有助于改善多晶硅氧化层击穿特性.多晶硅氧化层击穿特性与多晶硅和绝缘层交界面的平滑度有关.多晶硅薄膜表面平整度变差,则多晶硅与氧化层之间的界面平滑性变差,多晶硅介质层击穿强度降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李仁豪		24	60	5.0	6.0
2	龙飞		11	58	3.0	7.0
3	廖乃镘		14	12	2.0	2.0
4	阙蔺兰		6	16	2.0	4.0
5	向华兵		6	4	1.0	2.0
6	罗春林		8	8	2.0	2.0