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摘要:
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶ Mn薄膜.结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶ Mn薄膜的结构特性.Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶ Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-和527 cm-位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增多;当Mn摩尔分数达到15.8%时,647 cm-处的Raman散射峰出现,暗示了MnO的产生,同时薄膜结晶质量变差.这一结论也得到了XRD和SEM结果的支持.
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文献信息
篇名 Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 ZnO Mn 拉曼 稀磁半导体
年,卷(期) 2013,(9) 所属期刊栏目 材料合成及性能
研究方向 页码范围 1167-1172
页数 6页 分类号 TB34|TB43
字数 3454字 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20133409.1167
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张宇 天津职业技术师范大学电子工程学院 15 81 3.0 8.0
2 介琼 天津职业技术师范大学电子工程学院 7 11 3.0 3.0
3 李彤 天津职业技术师范大学电子工程学院 18 16 3.0 3.0
4 赵新为 天津职业技术师范大学电子工程学院 6 5 1.0 2.0
6 倪晓昌 天津职业技术师范大学电子工程学院 37 62 4.0 5.0
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Mn
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稀磁半导体
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1970
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