微波烧结制备碳化硅晶须的影响因素

• 作者: 刘剑 刘进强 王福 郝斌
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微波烧结 温度 碳化硅 晶须
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 1-5
• 分类号: TQ175.4
• 语种: 中文

摘要

将干燥后的硅溶胶-活性炭作为反应物,在不加入任何金属催化剂的情况下,利用微波加热碳热还原法合成碳化硅晶须,研究反应温度和时间及坩埚部位对产物的影响.结果表明:30 min时,温度由1300℃升高到1600℃,产物中物相β-SiC越来越多；1500℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和团聚在一起的SiC晶须；坩埚底部的产物主要为表面光滑的SiO2颗粒.1600℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和等轴状β-SiC颗粒,底部为晶须和颗粒的混合物.1500℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率优于1600℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘剑	唐山学院环境与化学工程系	22	52	5.0	6.0
2	郝斌	唐山学院环境与化学工程系	54	224	9.0	12.0
3	王福	中国科学院唐山高新技术研究与转化中心	11	42	4.0	6.0
4	刘进强	唐山学院环境与化学工程系	18	28	3.0	5.0